簡要描述：簡要描述：原子層沉積設(shè)備2為一種氣相化學(xué)沉積技術(shù)。大多數(shù)的ALD反應(yīng)，將使用兩種化學(xué)物質(zhì)稱為前驅(qū)物。這些前驅(qū)物以連續(xù)且自限的方式與材料表面進行反應(yīng)。

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原子層沉積設(shè)備（ALD）為一種氣相化學(xué)沉積技術(shù)。大多數(shù)的ALD反應(yīng)，將使用兩種化學(xué)物質(zhì)稱為前驅(qū)物。這些前驅(qū)物以連續(xù)且自限的方式與材料表面進行反應(yīng)。原子層沉積設(shè)備2通過ALD循環(huán)的次數(shù)，緩慢的沉積薄膜。而熱沉積式的ALD需要較高的製程溫度(傳統(tǒng)為150~350oC)。

SYSKEY的系統(tǒng)可以精準的控制ALD的製程，薄膜的厚度和均勻度皆小於+/- 1％。

厚度均勻度（WIW）：

原子層沉積設(shè)備單個12英寸晶圓用於沉積目標厚度為5nm的Al2O3和HfO2膜。使用橢偏儀進行27點厚度測量並輸入標準偏差公式。在±0.5nm範圍內(nèi)和均勻度的5％以內(nèi)。原子層沉積設(shè)備2

介電常數(shù)和功函數(shù)：

準備三個矽晶片，並以固定的厚度沉積Al2O3/ TiN和化學(xué)氧化物/ HfO2/ TiN。原子層沉積設(shè)備2測量三個樣品的CV圖以計算介電常數(shù)和洩漏電流：介電常數(shù)應(yīng)為7?9（Al2O3）和18?22（HfO2），並且洩漏電流小於1 nA（@ 1V）。

原子層沉積設(shè)備2

原子層沉積設(shè)備應(yīng)用領(lǐng)域	腔體
高k值之氧化物。 OLED和矽太陽能電池的鈍化層。微機電系統(tǒng)。納米電子學(xué)。納米孔結(jié)構(gòu)薄膜。光學(xué)薄膜。薄膜封裝技術(shù)。	鋁腔或者不銹鋼腔體，其佔地面積小，可縮短製程時間。通過使用水冷系統(tǒng)、加熱器或加熱包來控制腔體溫度。
配置和優(yōu)點	選件
客製化的基板尺寸，直徑可達300mm晶圓。優(yōu)異的薄膜均勻度小於±1％。較高的深寬比和複雜結(jié)構(gòu)具有相同特性之薄膜沉積。薄膜具有高緻密性。前驅(qū)物材料可多達6種並可分別加熱到200°C。快速脈衝的氣體輸送閥，反應(yīng)時間為10毫秒。通過穩(wěn)定的溫度控制，將基板載臺加熱到400°C。材料：Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, Ta2O5, ZnO, AZO, HfO2, SiO2, TiO2, GaO2, AlN, SiN, Pt…等等。	可以與傳送腔、機械手臂和手套箱整合在一起。橢圓偏振光譜儀。高真空傳送系統(tǒng)。

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